纪要｜关于特斯拉减少碳化硅以及稀土的使用

在刚刚结束的特斯拉年度投资者日上，公司公布了下一代动力平台的一些细节，其中提及了有关于碳化硅（SiC）器件用量大幅下降的评论，即:

“In our next powertrain, silicon carbide transistors that we
mentioned are key component but are expensive, we figure out the way use 75%
less, without compromising the performance and the efficiency of the car”

（中文翻译为，我们认为SiC是重要的零部件但价格昂贵，因此在下一代动力平台中，我们找到了降低其用量75%，但不影响汽车的性能和效能的方式）。

计然财经认为，作为SiC器件上车最早的推动者，特斯拉下一代动力平台试图大幅降低SiC的用量引发了投资者对SiC市场规模增长的担忧。我们看到，产业链相关个股股价也出现较大幅度波动（美股盘后Wolfspeed下跌5%，A股开盘后，天岳先进、东尼电子等碳化硅产业链相关标的同样出现较大幅度下跌）。

我们认为，应该理性看待大厂的计划于技术路径革新，“75%的用量下降”直观上确实会引发大家对SiC市场规模前景的担忧，在不降低系统性能和效率的前提下，特斯拉所谓的较低SiC用量的方案，有可能是与Si基器件混合封装的一种低成本方案。

尽管暂时不清楚特斯拉的技术细节，我们从技术原理出发，推测特斯拉降低SiC用量或有如下技术路径：

• 【1】采用IGBT和SiC-MOS合封器件；
• 【2】采用（双）沟槽结构SiC-MOS替代平面结构SiC-MOS器件；
• 【3】采用更先进工艺制造SiC-MOS降低比导通电阻；
• 【4】采用IGBT替换部分SiC器件；

根据瞻芯电子拆解数据，Tesla Model 3主驱采用24个ST第二代平面结构SiC-MOS，6个单通道栅极驱动芯片。而要组成最基本的三相全桥电路，至少需要6个通道的驱动信号。据此我们判断，无论特斯拉采取何种技术路径，#对驱动芯片用量影响均有限。

短期CostDown压力不改长期赛道优势

横向对比其他赛道，汽车及工业模拟芯片具备竞争门槛高、认证周期长、产品技术难度大的特点。复盘海外汽车及工业占比较高的模拟芯片企业(TXN、ADI、NXP等）不难看出，相关企业的盈利中枢及现金流表现优于同业。从行业属性出发，我们认为工业和汽车是模拟芯片发展的优质赛道，长期中枢稳健。

事实上，我们认为SiC商业落地的价值是依靠其优异的物理特性，以增加半导体器件成本为代价，换取系统成本降低、或给终端用户在产品的全生命周期内带来更大收益。在当下，高质量导电型SiC衬底大规模扩产依然面临瓶颈，成本难以快速降低的情况下，不排除短期内部分企业会在降本驱动下拥抱差异化的技术路径，带来一定市场风险。

但是，我们认为SiC本身优良的物理特性，决定了其未来广阔的成长空间，而且短期来看，即便需求端针对特斯拉销售的SiC器件出货量增速放缓，其他品牌积极拥抱SiC的趋势暂时没有发生变化，且上游原材料扩产受限的情况下，行业成长速度依然是由供给端决定。

我们认为投资者应该理性看待大厂的技术路径革新趋势，不应过度悲观看待第三代化合物半导体的长期发展前景，但也应警惕短期市场情绪波动。